ISO7721DR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
ISO7721DR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 1.8ns, 1.9ns
通道数 2
耗散功率 100 mW
隔离电压 3000 Vrms
下降时间Max 3.9 ns
上升时间Max 3.9 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
电源电压 2.25V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ISO7721DR引脚图与封装图 
ISO7721DR引脚图
ISO7721DR封装图
ISO7721DR封装焊盘图
替代型号ISO7721DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISO7721DR 品牌： TI 德州仪器 封装： | 当前型号 | EMC 性能优异的双通道、1/1、增强型数字隔离器 8-SOIC -55 to 125 | 当前型号 |
| 型号： ISO7721D 品牌： 德州仪器 封装： | 类似代替 | EMC 性能优异的双通道、1/1、增强型数字隔离器 8-SOIC -55 to 125 | ISO7721DR和ISO7721D的区别 |