IRFBC40L
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFBC40L中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 130W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
耗散功率Max 3.1W Ta, 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.65 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFBC40L引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFBC40L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBC40L 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-262-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 | 当前型号 |
| 型号： IRFBC40LPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-262-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 | IRFBC40L和IRFBC40LPBF的区别 |
| 型号： SPI07N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 650V 7.3A | 功能相似 | 新的革命高电压技术，超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge | IRFBC40L和SPI07N60C3的区别 |
| 型号： IRF830ALPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-262-3 | 功能相似 | MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3 | IRFBC40L和IRF830ALPBF的区别 |