IRF530STRL
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF530STRL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.7W Ta, 88W Tc
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 670pF @25VVds
耗散功率Max 3.7W Ta, 88W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF530STRL引脚图与封装图
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在线购买IRF530STRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF530STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRF530STRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF530STRL 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRF530SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK | IRF530STRL和IRF530SPBF的区别 |