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IRF530SPBF、IRF530STRL、SIHF530STRL-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF530SPBF IRF530STRL SIHF530STRL-GE3

描述 MOSFET N-CH 100V 14A D2PAKMOSFET N-CH 100V 14A D2PAKSIHF530STRL-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 14A, 100V, 3Pin D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

漏源极电阻 160 mΩ - -

耗散功率 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) -

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -