IXFH40N85X

IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 850V 40A

N-Channel 850V 40A Tc 860W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 850V 40A TO247

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N沟道 850V 40A

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MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 850V 40A 3-Pin3+Tab TO-247

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Trans MOSFET N-CH 850V 40A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXFH40N85X中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 860 W

漏源极电压Vds 850 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3700pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 860W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IXFH40N85X引脚图与封装图

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