IRF530FP
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ST Microelectronics
意法半导体
电子元器件分类
IRF530FP中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IRF530FP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF530FP | ST Microelectronics 意法半导体 | N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号IRF530FP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： IRF530FP 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： IRF530 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | N沟道功率MOSFET ， 20 A， 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V | IRF530FP和IRF530的区别 |
