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IS42VM16200D-75BLI

IS42VM16200D-75BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

Synchronous DRAM, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54

SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb(2M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


立创商城:
IS42VM16200D 75BLI


得捷:
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA


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DRAM 32M, 1.8V, M-SDRAM 2Mx16, 133Mhz, RoHS


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DRAM Chip SDRAM 32Mbit 2Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


安富利:
DRAMs Parts and Modules


IS42VM16200D-75BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42VM16200D-75BLI引脚图与封装图
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在线购买IS42VM16200D-75BLI
型号 制造商 描述 购买
IS42VM16200D-75BLI Integrated Silicon SolutionISSI Synchronous DRAM, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54 搜索库存
替代型号IS42VM16200D-75BLI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42VM16200D-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TFBGA

当前型号

Synchronous DRAM, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54

当前型号

型号: IS42VM16200C-75BLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-54

功能相似

DRAM 32M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 133MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

IS42VM16200D-75BLI和IS42VM16200C-75BLI的区别