IS42VM16200C-75BLI、IS42VM16200D-75BLI、IS42RM16200C-75BLI对比区别

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型号 IS42VM16200C-75BLI IS42VM16200D-75BLI IS42RM16200C-75BLI

描述 DRAM 32M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 133MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, ITSynchronous DRAM, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54动态随机存取存储器 32M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 2Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 54 54 -

封装 BGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

位数 16 16 -

存取时间 6 ns 6 ns 6 ns

存取时间(Max) 6ns, 8ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 2.3V ~ 2.7V

电源电压(Max) 1.95 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

封装 BGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 -