IRFBG20
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
通道数 1
耗散功率 54W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
输入电容Ciss 500pF @25VVds
耗散功率Max 54W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFBG20 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-220-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | 当前型号 | |
型号: IRFBG20PBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-220AB | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 1kV 1.4A 3Pin3+Tab TO-220AB | IRFBG20和IRFBG20PBF的区别 |