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IRFPE30
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC

通孔 N 通道 800 V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3


IRFPE30中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 125 W

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.31 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFPE30引脚图与封装图
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型号: IRFPE30

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-247-3

当前型号

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC

当前型号

型号: IRFPE30PBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-247-3

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MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC

IRFPE30和IRFPE30PBF的区别