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IRFPE30、IRFPE30PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFPE30 IRFPE30PBF

描述 MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247ACMOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc)

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电压(Vds) 800 V -

额定功率(Max) 125 W -

封装 TO-247-3 TO-247-3

宽度 5.31 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free