IRF634S
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF634S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc
漏源极电压Vds 250 V
输入电容Ciss 770pF @25VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF634S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF634S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF634S 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRF634SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | IRF634S和IRF634SPBF的区别 |
| 型号： SIHF634S-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | SIHF634S-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 8.1A, 250V, 3Pin D2PAK | IRF634S和SIHF634S-GE3的区别 |