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IRF634S、SIHF634S-GE3、IRF634SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF634S SIHF634S-GE3 IRF634SPBF

描述 MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAKSIHF634S-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 8.1A, 250V, 3Pin D2PAKMOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TO-263-3 - TO-263-3

耗散功率 3.1W (Ta), 74W (Tc) - 3.1W (Ta), 74W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V - 250 V

输入电容(Ciss) 770pF @25V(Vds) - 770pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc) - 3.1W (Ta), 74W (Tc)

封装 TO-263-3 - TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free