IRFBC30S

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

N-Channel 600V 3.6A Tc 3.1W Ta, 74W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

IRFBC30S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 660pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFBC30S引脚图与封装图

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