IRFPG50
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFPG50中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
耗散功率 190W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.31 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFPG50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFPG50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFPG50 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-247-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC | 当前型号 |
| 型号： IRFPG50PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-247-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC | IRFPG50和IRFPG50PBF的区别 |
| 型号： 2SK1120 品牌： 东芝 封装： TO-3PN N-CH 1000V 8A | 功能相似 | TO-3PN N-CH 1000V 8A | IRFPG50和2SK1120的区别 |