IRFPG50、IRFPG50PBF、2SK1120对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFPG50 IRFPG50PBF 2SK1120

描述 MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247ACMOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247ACTO-3PN N-CH 1000V 8A

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3

安装方式 Through Hole Through Hole -

极性 - - N-CH

漏源极电压(Vds) 1000 V - 1000 V

连续漏极电流(Ids) - - 8A

耗散功率 190W (Tc) 190W (Tc) -

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) -

通道数 1 - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3

宽度 5.31 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -