IRFL9110

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

P-Channel 100 V 1.1A Tc 2W Ta, 3.1W Tc Surface Mount SOT-223

得捷:
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

贸泽:
MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp

IRFL9110中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Ta, 3.1W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 200pF @25VVds

耗散功率Max 2W Ta, 3.1W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFL9110引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IRFL9110

型号	制造商	描述	购买
IRFL9110	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223	搜索库存

替代型号IRFL9110

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IRFL9110 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-223	当前型号	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223	当前型号
型号： IRFL9110PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-261-4	完全替代	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223	IRFL9110和IRFL9110PBF的区别
型号： IRFL9110TR 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-261AA	完全替代	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223	IRFL9110和IRFL9110TR的区别
型号： STN1NF10 品牌：意法半导体封装： SOT-223 N-Channel 100V 500mA 800mΩ	功能相似	STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V	IRFL9110和STN1NF10的区别