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IRFL9110、STN1NF10、IRFL9110PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL9110 STN1NF10 IRFL9110PBF

描述 MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223STMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 VMOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 - 3 -

耗散功率 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2.5 W 2W (Ta), 3.1W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 105pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2.5W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 1.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.7 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 500 mA -

上升时间 - 5.5 ns -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 6.5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 6.7 mm 6.5 mm

宽度 - 3.7 mm 3.5 mm

高度 - 1.6 mm 1.8 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -