IRFBF30S
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFBF30S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 900 V
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFBF30S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFBF30S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBF30S 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRFBF30SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK N-Channel 900V 3.6A | 完全替代 | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | IRFBF30S和IRFBF30SPBF的区别 |
| 型号： SIHFBF30S-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | TRANSISTOR 3.6 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power | IRFBF30S和SIHFBF30S-GE3的区别 |
| 型号： SIHFBF30S-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 功能相似 | TRANSISTOR 3.6 A, 900 V, 3.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power | IRFBF30S和SIHFBF30S-E3的区别 |