IRFBF30S、IRFBF30SPBF对比区别

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型号 IRFBF30S IRFBF30SPBF

描述 MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAKMOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

极性 - N-Channel

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) - 3.60 A

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free