IRFBC30STRL
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFBC30STRL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 660pF @25VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFBC30STRL引脚图与封装图
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在线购买IRFBC30STRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFBC30STRL | Vishay Siliconix | Mosfet n-Ch 600V 3.6A D2pak | 搜索库存 |
替代型号IRFBC30STRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBC30STRL 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 当前型号 | Mosfet n-Ch 600V 3.6A D2pak | 当前型号 |
| 型号： IRFBC30S 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | IRFBC30STRL和IRFBC30S的区别 |
| 型号： SIHFBC30STRL-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 功能相似 | SIHFBC30STRL-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 3.6A, 600V, 3Pin D2PAK | IRFBC30STRL和SIHFBC30STRL-GE3的区别 |
| 型号： IRFBC30STRRPBF 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A ID, 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFBC30STRL和IRFBC30STRRPBF的区别 |