IRFBF30SPBF
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFBF30SPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFBF30SPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFBF30SPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFBF30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRFBF30SPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBF30SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK N-Channel 900V 3.6A | 当前型号 | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRFBF30S 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK | IRFBF30SPBF和IRFBF30S的区别 |
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