IRFU020PBF
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFU020PBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.5W Ta, 42W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 640pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFU020PBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFU020PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFU020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | 搜索库存 |
替代型号IRFU020PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFU020PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： IPak | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | 当前型号 |
| 型号： IRFU024PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-251-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | IRFU020PBF和IRFU024PBF的区别 |
| 型号： IRFU020 品牌： 三星 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 15A ID, 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | IRFU020PBF和IRFU020的区别 |