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IRFU020、IRFU020PBF、SIHFU020-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU020 IRFU020PBF SIHFU020-GE3

描述 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3MOSFET N-CH 60V 14A I-PAKTRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-251-3 -

耗散功率 - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

输入电容(Ciss) - 640pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -

封装 - TO-251-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -