锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFBC20LPBF

IRFBC20LPBF

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262

通孔 N 通道 600 V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) TO-262-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO262-3


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBC20L


IRFBC20LPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 3.1 W

耗散功率Max 3.1W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFBC20LPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFBC20LPBF
型号 制造商 描述 购买
IRFBC20LPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262 搜索库存
替代型号IRFBC20LPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFBC20LPBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: I²Pak

当前型号

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262

当前型号

型号: STI13NM60N

品牌: 意法半导体

封装: TO-262 N-Channel 600V 11A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STI13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V

IRFBC20LPBF和STI13NM60N的区别

型号: SPI07N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-262-3 N-CH 650V 7.3A

功能相似

新的革命高电压技术,超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge

IRFBC20LPBF和SPI07N60C3的区别

型号: IRF830ALPBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-262-3

功能相似

MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3

IRFBC20LPBF和IRF830ALPBF的区别