IS61LV25616AL-10LQI
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
主动器件
IS61LV25616AL-10LQI中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
位数 16
存取时间 10.0 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 LQFP-44
外形尺寸
封装 LQFP-44
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 3A991.b.2.a
IS61LV25616AL-10LQI引脚图与封装图
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在线购买IS61LV25616AL-10LQI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS61LV25616AL-10LQI | Integrated Silicon SolutionISSI | 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin LQFP 10x10mm | 搜索库存 |
替代型号IS61LV25616AL-10LQI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS61LV25616AL-10LQI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： LQFP 4000000B 3.3V 10ns | 当前型号 | 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin LQFP 10x10mm | 当前型号 |
| 型号： IS61LV25616AL-10LQLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： LQFP | 完全替代 | 静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed Low PowerAsync,10ns,3.3v | IS61LV25616AL-10LQI和IS61LV25616AL-10LQLI的区别 |
| 型号： IS61WV25616BLL-10TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II | 功能相似 | RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器） | IS61LV25616AL-10LQI和IS61WV25616BLL-10TLI的区别 |
| 型号： IS61WV25616EDBLL-10TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-44 | 功能相似 | RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器） | IS61LV25616AL-10LQI和IS61WV25616EDBLL-10TLI的区别 |