IS61LV25616AL-10LQI、IS61WV25616BLL-10TLI、IS61WV25616EDBLL-10TLI对比区别
型号 IS61LV25616AL-10LQI IS61WV25616BLL-10TLI IS61WV25616EDBLL-10TLI
描述 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin LQFP (10x10mm)RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 LQFP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作电压 - 3.3 V -
针脚数 - 44 44
位数 16 16 16
存取时间 10.0 ns 10 ns 10 ns
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V
供电电流 - - 35 mA
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -
内存容量 4000000 B - -
长度 - 18.54 mm 18.54 mm
宽度 - 10.29 mm 10.29 mm
高度 - 1.05 mm 1.05 mm
封装 LQFP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a EAR99 EAR99