IPD400N06NG
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IPD400N06NG中文资料参数规格
封装参数
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Not Recommended
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD400N06NG引脚图与封装图
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在线购买IPD400N06NG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD400N06NG | Infineon 英飞凌 | 60V,27A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPD400N06NG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD400N06NG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | 60V,27A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： PD-40 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 40A ID, 30V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | IPD400N06NG和PD-40的区别 |