IXBX55N300
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 3000 V
反向恢复时间 1.9 µs
额定功率Max 625 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXBX55N300 | IXYS Semiconductor | Igbt 3000V 130A 625W Plus247 | 搜索库存 |