耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXGP15N120B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXGP15N120B 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220-3 150000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin3+Tab TO-220AB | 当前型号 | |
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型号: IRG4PF50W 品牌: 英飞凌 封装: TO-247AC 900V 51A | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin3+Tab TO-247AC | IXGP15N120B和IRG4PF50W的区别 |