IRG4PF50W、IXGP15N120B、HGTG30N60B3对比区别

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型号 IRG4PF50W IXGP15N120B HGTG30N60B3

描述 Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin(3+Tab) TO-247ACTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-220ABFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG30N60B3  单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) 900 V - 600 V

额定电流 51.0 A - 60.0 A

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 150000 mW 208 W

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V 600 V

额定功率(Max) - 150 W 208 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 150000 mW 208 W

额定功率 200 W - -

产品系列 IRG4PF50W - -

输入电容 3.30 nF - -

上升时间 26.0 ns - -

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 4.82 mm

高度 - 9.15 mm 20.82 mm

封装 TO-247 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown End of Life Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99