IXBT12N300
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXBT12N300中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 3000 V
反向恢复时间 1.4 µs
额定功率Max 160 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBT12N300引脚图与封装图
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| IXBT12N300 | IXYS Semiconductor | Igbt 3000V 30A 160W To268 | 搜索库存 |