IXDA20N120AS
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXDA20N120AS中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDA20N120AS引脚图与封装图
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在线购买IXDA20N120AS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDA20N120AS | IXYS Semiconductor | IGBT 晶体管 20 Amps 1200V | 搜索库存 |
替代型号IXDA20N120AS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDA20N120AS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 200000mW | 当前型号 | IGBT 晶体管 20 Amps 1200V | 当前型号 |
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| 型号： IRG4PC50WPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-247AC 200000mW | 功能相似 | INFINEON IRG4PC50WPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚 | IXDA20N120AS和IRG4PC50WPBF的区别 |
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