IXXX160N65C4
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXXX160N65C4中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 650 V
额定功率Max 940 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 940000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXXX160N65C4引脚图与封装图
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在线购买IXXX160N65C4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXXX160N65C4 | IXYS Semiconductor | Igbt 650V 290A 940W Plus247 | 搜索库存 |
替代型号IXXX160N65C4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXXX160N65C4 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Igbt 650V 290A 940W Plus247 | 当前型号 |
| 型号： IXXX160N65B4 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 完全替代 | Igbt 650V 310A 940W Plus247 | IXXX160N65C4和IXXX160N65B4的区别 |
| 型号： IXXK160N65B4 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 类似代替 | Igbt 650V 310A 940W To264 | IXXX160N65C4和IXXK160N65B4的区别 |
| 型号： IXXK160N65C4 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 类似代替 | IXXK 系列 GenX4 650 V 290 A 法兰安装 IGBT - TO-264 | IXXX160N65C4和IXXK160N65C4的区别 |