IXFA36N30P3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFA36N30P3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 347W Tc
漏源极电压Vds 300 V
上升时间 39 ns
输入电容Ciss 2040pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 347W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IXFA36N30P3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFA36N30P3 | IXYS Semiconductor | Mosfet n-Ch 300V 36A To-263aa | 搜索库存 |