制造商型号： | IXFA36N30P3 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFA36N30P3
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IXFA36N30P3 中文资料
数据手册PDF
IXFA36N30P3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 347 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 2462
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 42.628282 | 42.63 |
| 10 | 38.229538 | 382.30 |
| 25 | 36.14384 | 903.60 |
| 100 | 28.913095 | 2891.31 |
| 250 | 27.306812 | 6826.70 |
| 500 | 25.70053 | 12850.26 |
| 1000 | 22.006078 | 22006.08 |
| 2500 | 21.684822 | 54212.06 |
| 5000 | 19.757282 | 98786.41 |
品牌其他型号
IXFA36N30P3品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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