IXTF200N10T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTF200N10T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 156W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 120A
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
耗散功率Max 156W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-i4-3
外形尺寸
封装 ISOPLUS-i4-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTF200N10T引脚图与封装图
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