制造商型号： | IXTF200N10T |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTF200N10T
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IXTF200N10T 中文资料
数据手册PDF
IXTF200N10T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 6.3 mOhms
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 34 ns
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 35 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 g
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 25 | 85.617359 | 2140.43 |
品牌其他型号
IXTF200N10T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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