IXFK120N30P3
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK120N30P3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1130W Tc
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 8630pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFK120N30P3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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