制造商型号： | IXFK120N30P3 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFK120N30P3
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IXFK120N30P3 中文资料
数据手册PDF
IXFK120N30P3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 1.13 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
库存： 260
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 221.775632 | 221.78 |
| 25 | 179.558702 | 4488.97 |
| 100 | 168.995767 | 16899.58 |
| 500 | 153.152236 | 76576.12 |
品牌其他型号
IXFK120N30P3品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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