IXFX64N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFX64N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 64.0 A
耗散功率 830 W
输入电容 8.70 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 64.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 8700pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFX64N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFX64N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFX64N50P | IXYS Semiconductor | N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247 | 搜索库存 |
替代型号IXFX64N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFX64N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS 500V 64A 8.7nF | 当前型号 | N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247 | 当前型号 |
| 型号： STY60NM50 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 60A 50mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STY60NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 50 mohm, 10 V, 4 V | IXFX64N50P和STY60NM50的区别 |