IXFX64N50P、STY60NM50对比区别

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型号 IXFX64N50P STY60NM50

描述 N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247STMICROELECTRONICS  STY60NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 50 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 64.0 A 60.0 A

耗散功率 830 W 560 W

输入电容 8.70 nF -

栅电荷 150 nC -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 64.0 A 60.0 A

上升时间 25 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 8700pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 830W (Tc) 560W (Tc)

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.05 Ω

极性 - N-Channel

阈值电压 - 4 V

漏源击穿电压 - 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

额定功率(Max) - 560 W

长度 16.13 mm -

宽度 5.21 mm 5.3 mm

高度 21.34 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17