IXTP10P50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP10P50P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 2840pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP10P50P引脚图与封装图
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在线购买IXTP10P50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP10P50P | IXYS Semiconductor | IRLHS6242PbF 系列 p 沟道 500 V 1 Ohm 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-3 | 搜索库存 |
替代型号IXTP10P50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP10P50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 | 当前型号 | IRLHS6242PbF 系列 p 沟道 500 V 1 Ohm 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-3 | 当前型号 |
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