IXTH10P50P、IXTP10P50P、IXTQ10P50P对比区别

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型号 IXTH10P50P IXTP10P50P IXTQ10P50P

描述 IXTH 系列 单 P 沟道 500 V 1 Ohm 300 W 功率 Mosfet - TO-247 ADIRLHS6242PbF 系列 p 沟道 500 V 1 Ohm 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-3P沟道 500V 10A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-3-3

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 28 ns 28 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds)

下降时间 44 ns 44 ns 44 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

极性 P-CH - -

连续漏极电流(Ids) 10A - -

额定功率(Max) - 300 W -

长度 - - 15.8 mm

宽度 - - 4.9 mm

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free