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IXTH1N200P3

IXTH1N200P3

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 2kV 1A

N-Channel 2000V 1A Tc 125W Tc Through Hole TO-247 IXTH


立创商城:
N沟道 2kV 1A


得捷:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247


IXTH1N200P3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 2000 V

连续漏极电流Ids 1A

输入电容Ciss 646pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IXTH1N200P3引脚图与封装图
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