IXTT80N20L
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT80N20L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 520 W
输入电容 6160 pF
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 44 ns
输入电容Ciss 6160pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT80N20L引脚图与封装图
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在线购买IXTT80N20L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT80N20L | IXYS Semiconductor | N沟道 200V 80A | 搜索库存 |
替代型号IXTT80N20L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTT80N20L 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 200V 80A | 当前型号 | N沟道 200V 80A | 当前型号 |
| 型号： IXTH80N20L 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 80A | 功能相似 | IXTH80N20L 系列 200 V 80 A N-沟道 功率 Mosfet - TO-247-3 | IXTT80N20L和IXTH80N20L的区别 |