IXTH80N20L、IXTT80N20L对比区别

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型号 IXTH80N20L IXTT80N20L

描述 IXTH80N20L 系列 200 V 80 A N-沟道 功率 Mosfet - TO-247-3N沟道 200V 80A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 520 W 520 W

输入电容 616 pF 6160 pF

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

上升时间 44 ns 44 ns

输入电容(Ciss) 6160pF @25V(Vds) 6160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 520 W

下降时间 29 ns 29 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 520W (Tc)

漏源极电阻 32 mΩ -

漏源击穿电压 200 V -

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free