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IXFH26N60P

IXFH26N60P

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ，IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the IXFH26N60P power MOSFET from Ixys Corporation can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 460000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247


IXFH26N60P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 26.0 A

漏源极电阻 270 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 460W Tc

输入电容 4.15 nF

栅电荷 72.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 26.0 A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 4150pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 460W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFH26N60P引脚图与封装图
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在线购买IXFH26N60P
型号 制造商 描述 购买
IXFH26N60P IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列 IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFH26N60P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IXFH26N60P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 600V 26A 270mΩ 4.15nF

当前型号

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号： IXFT26N60P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-268 N-Channel 600V 26A 270mΩ 4.15nF

完全替代

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3Pin2+Tab TO-268

IXFH26N60P和IXFT26N60P的区别

型号： IXFH28N60P3

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 600V 28A

类似代替

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH28N60P3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 28 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V

IXFH26N60P和IXFH28N60P3的区别

型号： IXTH26N60P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-CH 600V 26A 4.15nF

类似代替

N沟道 600V 26A

IXFH26N60P和IXTH26N60P的区别