IXFH26N60P、IXTH26N60P、IXFH28N60P3对比区别

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型号 IXFH26N60P IXTH26N60P IXFH28N60P3

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 600V 26AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH28N60P3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 28 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 270 mΩ - 0.26 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 460W (Tc) 460 W 695 W

阈值电压 - - 5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26.0 A 28A

上升时间 27 ns 27 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 3560pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns 19 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 695W (Tc)

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 26.0 A 26.0 A -

输入电容 4.15 nF 4.15 nF -

栅电荷 72.0 nC 72.0 nC -

漏源击穿电压 600 V - -

长度 16.26 mm - 16.26 mm

宽度 5.3 mm - 5.3 mm

高度 21.46 mm - 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15