IXTA10N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA10N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 10.0 A
耗散功率 200W Tc
输入电容 1.61 nF
栅电荷 32.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
输入电容Ciss 1610pF @25VVds
耗散功率Max 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA10N60P引脚图与封装图
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在线购买IXTA10N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA10N60P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin2+Tab D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IXTA10N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA10N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D²Pak 600V 10A 1.61nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin2+Tab D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IXTI10N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： D2PAK 600V 10A 1.61nF | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin2+Tab D2PAK | IXTA10N60P和IXTI10N60P的区别 |
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